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题名:
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电子器件的电离辐射效应 / (意)Marta Bagatin, (意)Simone Gerardin主编 , 毕津顺[等]译 |
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ISBN:
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978-7-121-44206-3 价格： CNY119.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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20,299页 肖像,图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应，探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD)和闪存；数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。 |
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主题词:
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电子器件 电离辐射 |
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中图分类法:
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TN6 版次： 5 |
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中图分类法:
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O441.4 版次： 5 |
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主要责任者:
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Bagatin 主编 |
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主要责任者:
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Gerardin 主编 |
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次要责任者:
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毕津顺 译 |